可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法

摘要

本发明公开了一种可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法，包括：在石墨烯表面白组装一层有机层，再沉积一层无机层作为石墨烯的双层保护层；在石墨烯的双层保护层之上旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行曝光、反转、泛曝及显影操作，形成制备金属电极所需的图形；采用O₂等离子体将无机层表面残留的光刻胶清除，再采用湿法腐蚀掉石墨烯一金属接触区域的无机层，并使用有机腐蚀液对石墨烯-金属接触区域的有机薄膜进行可控清除，保证石墨烯-金属接触区域表面无残留光刻胶。本发明解决了光刻胶易于残留于石墨烯表面的问题，不会对石墨烯造成损伤，并且降低石墨烯的掺杂程度，构筑的石墨烯场效应晶体管能保持石墨烯材料的高载流子迁移率及器件性能。

主权项

一种可控清除石墨烯‑金属接触区域残留光学光刻胶的方法，其特征在于，包括：步骤1：在石墨烯表面自组装一层有机层，再沉积一层无机层作为石墨烯的双层保护层；步骤2：在石墨烯的双层保护层之上旋涂一层光刻胶，对光刻胶进行曝光、反转、泛曝及显影操作，形成制备金属电极所需的图形；步骤3：采用O₂等离子体将无机层表面残留的光刻胶清除，再采用湿法腐蚀掉石墨烯‑金属接触区域的无机层，并使用有机腐蚀液对石墨烯‑金属接触区域的有机薄膜进行可控清除，保证石墨烯‑金属接触区域表面无残留光刻胶。