发明名称 |
LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法 |
摘要 |
本发明公开了LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法,选用食荚、食粒的半直立型适宜豌豆种子;将豌豆种子用50%多菌灵500倍液浸种2小时,种子洗净,清水浸泡充分吸水后,均匀点在底部铺有吸水纸的育苗盘中进行催芽;待出芽后移到0-15℃温度段、12h光照/12h黑暗的人工育苗箱中,放置15天;于9月初播种到设施大棚内,每亩移栽密度7000-8000株;播种时覆盖地膜,在温度低于3℃时架设小拱棚,在豌豆的出芽、成长期及开花结荚期均增施肥料,并做好防虫防病处理;11月开始分批采收鲜荚或者鲜粒上市,秸秆就地埋青培肥地力。本发明的有益效果是可使新鲜豌豆产量增加,生育期提早,提高经济效益。 |
申请公布号 |
CN104429542A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410763217.8 |
申请日期 |
2014.12.11 |
申请人 |
江苏省农业科学院 |
发明人 |
袁星星;陈华涛;崔晓艳;陈新;张红梅;刘晓庆;顾和平;张智民 |
分类号 |
A01G1/00(2006.01)I;A01G7/04(2006.01)I;A01G13/00(2006.01)I |
主分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法,其特征在于按照以下步骤进行:步骤1:选用食荚、食粒的半直立型适宜豌豆种子;步骤2:将豌豆种子用50%多菌灵500倍液浸种2小时,种子洗净,清水浸泡充分吸水后,均匀点在底部铺有吸水纸的育苗盘中进行催芽;步骤3:待出芽后移到0‑15℃温度段、12h光照/12h黑暗的人工育苗箱中,放置15天,进行LED光源及温度联合处理;步骤4:于9月初播种到设施大棚内,每亩移栽密度7000‑8000株;步骤5:播种时覆盖地膜,在温度低于3℃时架设小拱棚,在豌豆的出芽、成长期及开花结荚期均增施肥料,并做好防虫防病处理;步骤6:11月开始分批采收鲜荚或者鲜粒上市,秸秆就地埋青培肥地力。 |
地址 |
210014 江苏省南京市玄武区钟灵街50号 |