| 发明名称 | 一种制备硅质靶材的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备硅质靶材的方法。将高纯多晶硅原料与掺杂剂混合装料后，置于铸锭炉内抽真空、加热熔化、长晶、退火和冷却后，切割打磨硅锭后制得方形靶材。该制备方法生产周期短，所制备的硅靶材电阻率可通过掺杂剂的量连续精确控制，且具有分布均匀、靶材尺寸大、晶体完整等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN104451564A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410648620.6 | 申请日期 | 2014.11.14 |
| 申请人 | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 | 发明人 | 彭迟香 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;杨晞 |
| 主权项 | 一种制备硅质靶材的方法，其特征在于，将高纯多晶硅原料与掺杂剂混合装料后，置于铸锭炉内抽真空、加热熔化、长晶、退火和冷却后，切割打磨硅锭制得方形靶材。 | ||
| 地址 | 523871 广东省东莞市长安镇上沙振安路368号东阳光科技园 | ||