发明名称 传感器半导体芯片用铜合金材料
摘要 传感器半导体芯片用铜合金材料,主要包括铜元素,还包括镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素,所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为:镍0.2%~0.6%,镉0.1%~0.3%,锌1.1%~2.2%,贵金属元素0.02%~0.05%,稀土金属元素0.03%~0.04%。本发明公开的铜合金材料用来封装传感器半导体芯片时,能够具有较佳的常温与高温抗氧化功效,用本发明铜合金封装的传感器半导体芯片,不仅可降低半导体芯片热膨胀系数,有助改善热疲劳可靠度,减少结合界面剥离的现象发生外,亦能降低金属间化合物层厚度,进而提高界面可靠度。
申请公布号 CN104451246A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410643345.9 申请日期 2014.11.13
申请人 无锡信大气象传感网科技有限公司 发明人 禹胜林
分类号 C22C9/04(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I 主分类号 C22C9/04(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 张惠忠
主权项 传感器半导体芯片用铜合金材料,主要包括铜元素,还包括镍、镉和锌,其特征是还包括若干种贵金属元素和若干种稀土金属元素,所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为:镍0.2%~0.6%,镉0.1%~0.3%,锌1.1%~2.2%,贵金属元素0.02%~0.05%,稀土金属元素0.03%~0.04%。
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