| 发明名称 | 一种双面生长的硅基四结太阳电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双面生长的硅基四结太阳电池，包括作为衬底的Si子电池，位于衬底上表面的GaAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>、GaIn<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>子电池，以及位于衬底下表面的Ge子电池，所述GaAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>和GaIn<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>子电池通过GaAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>组分渐变缓冲层与Si子电池连接，所述Ge子电池通过Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>组分渐变缓冲层与Si子电池连接，所述GaIn<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>和GaAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>子电池之间、GaAs<sub>x</sub>P<sub>1-x</sub>子电池和Si子电池之间、Si子电池与Ge子电池之间通过隧穿结连接。本发明利用Si衬底制备级联的四结电池，带隙组合在1.95/1.5/1.12/0.67eV左右，可以在降低成本的同时，提高该电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104465809A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410718143.6 | 申请日期 | 2014.11.28 |
| 申请人 | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 | 发明人 | 陈丙振;张小宾;王雷;潘旭;张露;张杨;杨柏 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 黄磊 |
| 主权项 | 一种双面生长的硅基四结太阳电池，包括作为衬底的Si子电池，其特征在于：在所述Si子电池的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaIn<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池、GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池、GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>组分渐变缓冲层；在所述Si子电池的下表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有Si<sub>x</sub>Ge<sub>1‑x</sub>组分渐变缓冲层和Ge子电池；其中，所述GaIn<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池和GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池和Si子电池之间通过位于GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>组分渐变缓冲层之上的第二隧道结连接，所述Si子电池和Ge子电池之间通过位于Si<sub>x</sub>Ge<sub>1‑x</sub>组分渐变缓冲层之上的第一隧道结连接；所述GaIn<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池和GaAs<sub>x</sub>P<sub>1‑x</sub>子电池晶格匹配。 | ||
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号明阳工业园 | ||