发明名称 | 一种高压IGBT串联均压电路 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种高压IGBT串联均压电路,包括至少两个串联的主IGBT,每个主IGBT与一个缓冲均压单元连接;缓冲均压单元包括并联在主IGBT集电极和发射极之间的RCD缓冲支路;RCD缓冲支路与电阻均压支路并联;电阻均压支路中点与电压跟随器/电压比较器输入端连接;电压跟随器/电压比较器输出端、电阻均压支路一端分别与电压互感器原边绕组第一输入端、第二输入端连接;电压互感器次边绕组两端分别与辅助IGBT的栅极、发射极/MOS管的栅极、源极连接;辅助IGBT的发射极/MOS管的源极与电压互感器原边绕组第二输入端连接;辅助IGBT的集电极/MOS管的漏极与辅助RCD缓冲支路连接。本实用新型能避免辅助IGBT对电阻采样的影响,从而提高采样精度;保证电路的电压均衡。 | ||
申请公布号 | CN204231186U | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201420780652.7 | 申请日期 | 2014.12.12 |
申请人 | 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司 | 发明人 | 高维;陈功;刘小松;陈敏;刘国频;曾智桢;胡隽璇 |
分类号 | H02M1/00(2007.01)I | 主分类号 | H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人 | 卢宏 |
主权项 | 一种高压IGBT串联均压电路,包括至少两个串联的主IGBT,其特征在于,每个主IGBT与一个缓冲均压单元连接;所述缓冲均压单元包括并联在所述主IGBT集电极和发射极之间的RCD缓冲支路;所述RCD缓冲支路与电阻均压支路并联;所述电阻均压支路中点与电压跟随器/电压比较器输入端连接;所述电压跟随器/电压比较器输出端、电阻均压支路一端分别与电压互感器原边绕组第一输入端、第二输入端连接;所述电压互感器次边绕组两端分别与辅助IGBT的栅极、发射极/MOS管的栅极、源极连接;所述辅助IGBT的发射极/MOS管的源极与电压互感器原边绕组第二输入端连接;所述辅助IGBT的集电极/MOS管的漏极与辅助RCD缓冲支路连接;所述辅助RCD缓冲支路通过所述电阻均压支路另一端与所述主IGBT集电极连接;或者,所述电阻均压支路中点与电压互感器原边绕组一端连接,所述电阻均压支路一端与所述电压互感器原边绕组另一端、辅助IGBT发射极/MOS管源极连接;所述电压互感器副边绕组两端分别与电压跟随器/电压比较器输入端、辅助IGBT的发射极/MOS管的源极连接;所述电压跟随器/电压比较器输出端与所述辅助IGBT的栅极/MOS管的栅极连接;所述辅助IGBT的集电极/MOS管的漏极与辅助RCD缓冲支路连接;所述辅助RCD缓冲支路通过所述电阻均压支路另一端与所述主IGBT集电极连接。 | ||
地址 | 410014 湖南省长沙市雨花区香樟东路16号 |