一种高压二极管芯片合金工艺

摘要

本发明公开了一种高压二极管芯片合金工艺，将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠通过高频合金炉进行一次合金，一次合金时，在镀镍扩散片的最外层覆盖低温焊片，使焊片有效保护最外层镀镍片，防止高温氧化；二次合金时，用低温焊片置于一次合金半成品硅叠最外层，使低温焊片之间进行有效融合，确保焊接质量，避免镀镍芯片再镀金过程中引入剧毒物品氰化金钾，提高产品制造过程的安全性，同时极大降低产品成本。

主权项

一种高压二极管芯片合金工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将镀镍芯片与高温焊片逐片间隔堆叠，最外层镀镍芯片的另一面各放置一片低温焊片；（2）将上述堆叠的材料置于高频合金炉内进行一次合金加热，使高温焊片与镀镍芯片形成良好的合金，将低温焊片完全熔化，完全覆盖于最外层镀镍芯片，以防止最外层镀镍芯片氧化；（3）在上述一次合金半产品两面各放置一片低温焊片，置于高频合金炉中进行二次合金加热，使低温焊片与一次合金半产品形成良好合金；步骤（2）中所述合金加热条件为：熔化深度300um~600um，转换功率35%~50%；步骤（3）中所述低温焊片厚度为80um~120um，液相线280℃；所述二次合金加热条件为：熔化深度50um~90um，转换功率15%~35%。