发明名称 |
脉冲电化学抛光方法及装置 |
摘要 |
揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤:建立占空比表,占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比;驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动,以使得晶圆上一特定点位于向晶圆(8)喷射带电荷的电解液(7)的喷嘴(6)的正上方;查占空比表,获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比;及提供预设的脉冲电源至晶圆(8)及喷嘴(6),抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。 |
申请公布号 |
CN104471690A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201280073426.9 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
盛美半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
王坚;金一诺;王俊;王晖 |
分类号 |
H01L21/321(2006.01)I;B23H3/02(2006.01)I;B24B57/02(2006.01)I;C25F3/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/321(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种脉冲电化学抛光方法,其特征在于,包括:建立占空比表,占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比;驱动夹持有晶圆的晶圆夹盘以预设的速度移动,晶圆上一特定点位于向晶圆喷射带电荷的电解液的喷嘴的正上方;查占空比表,获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比;及提供预设的脉冲电源至晶圆及喷嘴,抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。 |
地址 |
201203 中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 |