一种制备SiC纳米线的方法

摘要

一种制备SiC纳米线的方法，本发明涉及制备SiC纳米线的方法。本发明要解决目前制备SiC纳米线工艺中存在的对原材料和设备要求高，制备周期长，制备条件苛刻的问题。方法：一、将Si粉和石墨粉放入球磨机中进行球磨，得到混合物料；二、将混合物料在真空条件下，升温至1200℃，保温30min，随炉冷却；三、取出烧后的氧化铝坩埚，在空气条件下，升温至800℃，保温30min，制得SiC纳米线。本发明原料来源广泛，制备过程对设备要求低，周期短，操作方便，易于控制。本发明用于制备SiC纳米线。

主权项

一种制备SiC纳米线的方法，其特征在于该方法具体是按照以下步骤进行的：一、将Si粉和石墨粉放入球磨机中进行球磨，控制球料质量比为(10～30)∶1，球磨机转速为400r/min，球磨时间为4～8h，得到混合物料；二、将步骤一得到的混合物料放入氧化铝坩埚中，再放入管式真空炉中，开启真空泵，控制真空度低于200Pa，升温至1200℃，保温30min，再随炉冷却；三、将步骤二中随炉冷却的氧化铝坩埚，再放入箱式电阻炉中，升温至800℃，保温30min，即得到SiC纳米线。