| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种具有衬底和形成在衬底上的RF耦合器的半导体器件。所述RF耦合器包括具有被耦合到半导体器件的第一端子的第一末端的第一导电迹线、以及具有被耦合到半导体器件的第二端子的第一末端的第二导电迹线。第一导电迹线被放置在第二导电迹线的第一部分的附近。在衬底上形成集成无源器件。第二导电迹线的第二部分作为所述集成无源器件的电路部件进行工作。所述集成无源器件可以是平衡-不平衡变换器或低通滤波器。为了更高的方向性，所述RF耦合器也具有被耦合到半导体器件的第一端子的第一电容器、和被耦合到半导体器件的第三端子的第二电容器。第二导电迹线被卷绕以展示电感特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102024795B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201010282788.1 | 申请日期 | 2010.09.10 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | R·C·弗赖;刘凯 |
| 分类号 | H01L23/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括： 衬底； 形成在衬底上的射频耦合器，所述射频耦合器包括， (a)具有被耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和被耦合到电路节点的第二末端的第一导电迹线，以及 (b)具有被耦合到半导体器件的第二端子的第一末端和被耦合到半导体器件的第三端子的第二末端的第二导电迹线，第一导电迹线磁耦合或者电容耦合到第二导电迹线的第一部分；以及 形成在衬底上的低通滤波器，其中第二导电迹线的第二部分作为所述低通滤波器的电路部件进行工作，所述低通滤波器包括， (c)第二导电迹线的第二部分， (d)被耦合在半导体器件的第二端子和第四端子之间的第一电容器， (e)被耦合在半导体器件的第三端子和第五端子之间的第二电容器，和 (f)被耦合在半导体器件的第二端子和第三端子之间的第三电容器。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||