用于超薄石英基片薄膜电路的图形电镀方法

摘要

本发明提供一种用于超薄石英基片薄膜电路的图形电镀方法，包括：将承载基片的上表面局部制备金属薄膜区作为电镀连通区；将超薄石英基片上表面制备金属薄膜作为待图形电镀面，与承载基片形成临时键合体；在待图形电镀面上形成键合区和图形化光刻胶区，将该键合区与电镀连通区通过金丝导通；电镀加厚金属电极层和保护金属层；去除所述金丝，将图形化光刻胶剥离干净，保护所述电镀连通区，将未电镀加厚区域的金属层刻蚀干净，再去除所述保护金属层；将所述超薄石英基片与所述承载基片分离。采用上述方案，可以在超薄石英基片上进行高精度线宽/线间距薄膜电路图形的电镀操作，而且导带尺寸能够精确控制，工艺简单易行，成本低廉，良品率高。

主权项

一种用于超薄石英基片薄膜电路的图形电镀方法，其特征在于，包括：将承载基片的上表面进行抛光，并在抛光面的局部制备金属薄膜区作为电镀连通区；将超薄石英基片双面抛光，在其上表面制备金属薄膜作为待图形电镀面，下表面通过光刻胶湿膜与所述承载基片的抛光面上未制备金属薄膜的区域粘接形成临时键合体；通过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影及后烘，在所述临时键合体的待图形电镀面上形成键合区和图形化光刻胶区，并将该键合区与所述电镀连通区通过金丝导通；在该临时键合体上先后电镀加厚金属电极层和保护金属层；去除所述金丝，将图形化光刻胶剥离干净，保护所述电镀连通区，将未电镀加厚区域的金属层刻蚀干净，再去除所述保护金属层；将所述超薄石英基片与所述承载基片分离。