半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法具备在第1导电类型的半导体层形成沟槽的工序；形成覆盖沟槽的内表面的第1绝缘膜的工序；在第1绝缘膜上形成第1导电材料以埋入沟槽内的工序；蚀刻第1导电材料以使第1导电材料整体位于沟槽内的工序；蚀刻第1绝缘膜，以在沟槽的上部内表面使半导体层露出，使第1导电材料的上端部相比于第1绝缘膜的上端部更位于上侧的工序；在对第1绝缘膜进行蚀刻之后，再蚀刻第1导电材料以使第1绝缘膜的上端部相比于第1导电材料的上端部更位于上侧的工序；形成对在沟槽的上部内表面露出的半导体层和第1导电材料进行覆盖的第2绝缘膜的工序；在第1绝缘膜和第2绝缘膜上形成第2导电材料以埋入沟槽的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在第1导电类型的半导体层中形成沟槽的工序；形成覆盖所述沟槽的内表面的第1绝缘膜的工序；以埋入所述沟槽内的方式，在所述第1绝缘膜上形成第1导电材料的工序；以使所述第1导电材料的上端部位于所述沟槽内的方式，对所述第1导电材料进行蚀刻的工序；以在所述沟槽的上部内表面中使所述半导体层露出，并且使所述第1导电材料的所述上端部相比于所述第1绝缘膜的上端部更位于上侧的方式，对所述第1绝缘膜进行蚀刻的工序；在对所述第1绝缘膜进行蚀刻之后，以使所述第1绝缘膜的所述上端部相比于所述第1导电材料的所述上端部更位于上侧的方式，对所述第1导电材料进行再蚀刻的工序；形成对在所述沟槽的上部内表面露出的所述半导体层和所述第1导电材料进行覆盖的第2绝缘膜的工序；以及以埋入所述沟槽内的方式，在所述第2绝缘膜上形成第2导电材料的工序。