发明名称 具有场电极的晶体管器件
摘要 本发明涉及具有场电极的晶体管器件。一种晶体管器件包含源区域、漂移区域和布置在该源区域与该漂移区域之间的基体区域。栅电极与该基体区域相邻并且通过栅电介质被电介质绝缘于该基体区域。场电极布置与漂移区域和基体区域相邻,在第一方向上与栅电极间隔开,并且包含场电极和场电极电介质,该第一方向与在其中源区域和漂移区域是间隔开的垂直方向正交。该场电极电介质将该场电极至少与该漂移区域电介质绝缘。该场电极布置具有与漂移区域相邻的第一宽度和与基体区域相邻的第二宽度并且该第一宽度大于该第二宽度。
申请公布号 CN104465771A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410492575.X 申请日期 2014.09.24
申请人 英飞凌科技奥地利有限公司 发明人 O.布兰克;R.西米尼克
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 申屠伟进;胡莉莉
主权项 一种晶体管器件,包括:源区域、漂移区域和布置在所述源区域与所述漂移区域之间的基体区域;栅电极,与基体区域相邻并且通过栅电介质与基体区域电介质绝缘;以及场电极布置,与漂移区域和基体区域相邻,在第一方向上与栅电极间隔开,并且包括场电极和场电极电介质,所述第一方向与源区域和漂移区域被间隔开所沿的垂直方向正交;其中所述场电极电介质将所述场电极至少与所述漂移区域电介质绝缘,其中所述场电极布置具有与漂移区域相邻的第一宽度和与基体区域相邻的第二宽度,并且其中所述第一宽度大于所述第二宽度。
地址 奥地利菲拉赫