半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二半导体层和发光单元。所述发光单元被提供在所述第一和第二半导体层之间，并且包括阱层和垒层。所述垒层包括p侧和n侧垒层以及第一中间垒层。所述n侧垒层被提供在所述p侧垒层和所述第一半导体层之间。所述第一中间垒层被提供在所述垒层之间。所述阱层包括p侧和n侧阱层以及第一中间阱层。所述p侧阱层被提供在所述p侧垒层和所述第二半导体层之间。所述n侧阱层被提供在所述n侧垒层和所述第一中间垒层之间。所述第一中间阱层被提供在所述第一中间垒层和所述p侧垒层之间。

主权项

一种半导体发光器件，所述器件包括：包括氮化物半导体的具有n型的第一半导体层；包括氮化物半导体的具有p型的第二半导体层；以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间提供的发光单元，所述发光单元包括多个垒层和与所述垒层交替层叠的多个阱层，所述垒层包括：所述垒层中的第二接近所述第二半导体层的p侧垒层；在所述p侧垒层和所述第一半导体之间提供的n侧垒层；以及在所述n侧垒层和所述p侧垒层之间提供的第一中间垒层，所述阱层包括：在所述p侧垒层和所述第二半导体之间提供的p侧阱层，所述p侧阱层与所述p侧垒层接触；在所述n侧垒层和所述第一中间垒层之间提供的n侧阱层，所述n侧阱层与所述n侧垒层接触；以及在所述第一中间垒层和所述p侧垒层之间提供的第一中间阱层，所述第一中间阱层与所述第一中间垒层接触，第一失配位错的第一密度高于第二失配位错的第二密度，所述第一失配位错被包括在所述第一中间垒层以及所述第一中间垒层和所述第一中间阱层之间的界面中，所述第二失配位错被包括在所述p侧垒层以及所述p侧垒层和所述p侧阱层之间的界面中。