| 发明名称 | 氧化锆基传感器的低温共烧方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种片式氧化锆传感器的低温共烧方法，所述方法包括：在氧化钇稳定氧化锆中加入低熔点、具有离子导电性的玻璃粉，配制浆料；将浆料流延成型，切割，冲过孔、参比气体通道、气体室等；印刷Pt等贵金属电极，叠层热压，并在1000℃～1200℃下共烧0.5～4小时。 | ||
| 申请公布号 | CN102910903B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201210445355.2 | 申请日期 | 2012.11.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 冯涛;夏金峰;蒋丹宇 |
| 分类号 | C04B35/48(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
| 主权项 | 一种制备片式氧化锆基传感器的低温共烧方法，所述方法包括：在氧化锆中加入低熔点、具有离子导电性的玻璃粉，配制浆料；将所述浆料流延成型，经切割和冲出孔、参比气体通道和气体室，由此提供传感器基片；在基片上印刷电极，叠层热压，并在900℃～1200℃下共烧0.5～4小时。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||