发明名称 |
一种场发射显示器封装方法 |
摘要 |
本发明公开了一种场发射显示器封装方法。本方法将热氧化制备CuO纳米线与低熔点玻璃粉的烧结同步进行,可以在场发射显示器的阴极基板上生长CuO纳米线冷阴极的同时固化低熔点玻璃粉。本发明工艺简单,既简化了场发射显示器的工艺流程,可以节约制作成本,也可以避免封装的烧结过程对CuO纳米线冷阴极发射特性造成影响。 |
申请公布号 |
CN102664130B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201210152496.5 |
申请日期 |
2012.05.16 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
陈军;林琳;刘更新;许宁生;邓少芝 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I;H01J9/24(2006.01)I;H01J9/38(2006.01)I;H01J29/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
华辉 |
主权项 |
一种在封装过程实现CuO纳米线生长的场发射显示器封装方法,其特征在于包括以下顺序的步骤:a)首先在阴极基板所采用的玻璃基板衬底上制备导电层和铜膜图形;b)在阳极基板所采用的玻璃衬底上面制作透明导电层和荧光粉层;c)在阴极基板和阳极基板之间均匀放置隔离体,保证阴阳极间绝缘并保持一定的间距,然后将阴极基板和阳极基板对准并固定;d)在阴极和阳极基板之间的缝隙涂覆低熔点玻璃粉;e)安装排气管;f)通过排气管,向器件内部通入氧气、空气或含有氧气的混合气体;g)按每分钟1~15度的升温速率,将整个器件加热至400~450℃,并保温1~5小时,最后降温。 |
地址 |
510275 广东省广州市新港西路135号 |