| 发明名称 | 一种具有砷化镓层器件上形成金属触点及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在具有砷化镓层器件上形成金属触点的方法，包括：在砷化镓层上沉积钯层；在所述钯层上沉积锗层；在所述锗层上沉积金属覆盖层；并且将所述具有砷化镓层器件加热，以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金层，其中，所述钯锗合金层为渐变层，所述渐变层在靠近所述吸收层处包含最高浓度的钯和最低浓度的锗，具有延伸至所述金属覆盖层的梯度，在靠近所述金属覆盖层处包含最高浓度的锗和最低浓度的钯。本发明的制造方法能够在低温下制备具有砷化镓层器件上形成金属触点，使得器件的性能得以保持。 | ||
| 申请公布号 | CN104465802A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410670765.6 | 申请日期 | 2014.11.21 |
| 申请人 | 广西智通节能环保科技有限公司 | 发明人 | 李军安;蔡桂钧;何卫华 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭 |
| 主权项 | 一种在具有砷化镓层器件上形成金属触点的方法，包括：在砷化镓层上沉积钯层；在所述钯层上沉积锗层；在所述锗层上沉积金属覆盖层；并且将所述具有砷化镓层器件加热，以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金层，其中，所述钯锗合金层为渐变层，所述渐变层在靠近所述吸收层处包含最高浓度的钯和最低浓度的锗，具有延伸至所述金属覆盖层的梯度，在靠近所述金属覆盖层处包含最高浓度的锗和最低浓度的钯。 | ||
| 地址 | 545001 广西壮族自治区柳州市桂中大道阳光100城市广场2-20-9室 | ||