GaN肖特基结型核电池及其制备方法

摘要

GaN肖特基结型核电池及其制备方法，涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO₂保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层；在n-GaN层上得到两个暴露出n+GaN层的窗口；在整个器件的上表面生长SiO₂保护层；在SiO₂保护层上腐蚀出用于肖特基接触的窗口；通过光刻和溅射的方法得到肖特基金属层；光刻并腐蚀出用于欧姆接触的窗口；通过光刻和溅射的步骤得到欧姆接触层，退火，得到良好的欧姆接触，SiO₂保护层在此过程中起到保护的作用；加上放射性同位素层以形成核电池。

主权项

GaN肖特基结型核电池，其特征在于其从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n‑GaN层、肖特基金属层、欧姆接触层和放射性同位素层；蓝宝石衬底层、GaN缓冲层和n+GaN层的尺寸相同，n‑GaN层和肖特基金属层是在蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层上刻蚀出两个电极窗口，欧姆接触层将电极窗口填满。