一种改善有源区关键尺寸均匀性的方法

摘要

本发明涉及半导体器件工艺，尤其涉及一种改善有源区关键尺寸均匀性的方法，适用于晶片边缘区域有源区关键尺寸比晶片中心区域有源区关键尺寸大的晶片，采用湿法清洗和刻蚀工艺，通过在单片机台中使用0.15％-2％浓度的氢氟酸溶液清洗、刻蚀去除晶片边缘区域沟槽侧壁在自然条件下形成的氧化膜，然后使用氧化性化学品将晶片边缘区域沟槽侧壁的硅氧化层二氧化硅，反复进行以上步骤，直到晶片边缘有源区的关键尺寸与晶片中心区域有源区关键尺寸相同，这种方法简单。容易操作且有效改善了晶片有源区关键尺寸的均匀性。

主权项

一种改善有源区关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一具有中心区域和边缘区域的的晶片，所述中心区域设置有中心区域有源区，所述边缘区域设置有边缘区域有源区，且所述晶片边缘区域的有源区关键尺寸比晶片中心区域有源区关键尺寸大，所述有源区之间以沟槽隔开：步骤S1：用湿法清洗工艺去除所述晶片边缘区域沟槽侧壁的自然氧化层；步骤S2：用氧化性化学品处理所述晶片边缘区域沟槽侧壁，以在沟槽侧壁重新生成一氧化层；重复步骤S1、步骤S2若干次，直到晶片边缘区域有源区关键尺寸与晶片中心区域有源区关键尺寸相同，即晶片有源区关键尺寸均匀性得以改善。