| 发明名称 | 纳米对电极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米对电极及其制备方法。包括：设置衬底并在其上设置抗蚀剂；确定曝光版图，曝光版图具有用于形成纳米对电极的纳米对电极图案，纳米对电极图案由沿一直线延伸的两个长条形部分构成，并且呈轴对称布置；每一长条形部分包括一个长方形和一个三角形，长方形的短边与三角形的一条边重合；两个长条形部分的三角形相互面对；按照曝光版图对抗蚀剂电子束曝光、显影、定影，形成刻蚀凹槽；在具有刻蚀凹槽的衬底上沉积金属，溶解残留的抗蚀剂，得到纳米对电极。该纳米对电极具有点接触结构，性能更加稳定可靠，接触面积和辐射较小，减弱了近邻效应，更好地调控微区曝光剂量，提高了曝光分辨率，得到了间距3～10nm的纳米对电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104465327A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410738817.9 | 申请日期 | 2014.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 唐成春;顾长志;李俊杰;杨海方;全保刚;姜倩晴 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;薛峰 |
| 主权项 | 一种纳米对电极的制备方法，包括：设置衬底(10)并在所述衬底(10)上设置抗蚀剂(20)；确定曝光版图，所述曝光版图具有用于形成纳米对电极的纳米对电极图案，所述纳米对电极图案由沿一直线延伸的两个长条形部分构成，并且沿与所述直线垂直的方向呈轴对称布置；每一所述长条形部分包括一个长方形和一个三角形，所述长方形的短边与所述三角形的一条边重合；两个所述长条形部分的所述三角形相互面对；按照所述曝光版图对所述抗蚀剂(20)进行电子束曝光、显影、定影，形成与所述曝光版图对应的刻蚀凹槽(30)；在具有所述刻蚀凹槽(30)的所述衬底(10)上沉积金属(40)，溶解残留的所述抗蚀剂(20)，从而在所述衬底(10)上与所述曝光版图的所述纳米对电极图案对应的位置处得到所述纳米对电极(50)。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||