半导体器件的制备方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底的浅沟槽的顶部角落注入原子量大于100的注入元素。在本发明中，所述浅沟槽的顶部角落的注入元素的质量较大，不易发生逃逸，可以对浅掺杂区的元素进行补偿；并且，所述注入元素位于所述浅沟槽的顶部角落，可以阻挡所述浅掺杂区的元素的逃逸，从而减少或避免器件的双峰效应所引发的在低于阈值电压条件下容易发生的靠近浅沟槽顶部角落的器件提前开启所造成的漏电，提高器件的电性能。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体衬底的浅沟槽的顶部角落注入原子量大于100的注入元素。