| 发明名称 | 电阻式存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电阻式存储器及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与掩膜层的介电层。接着，进行蚀刻工艺，于介电层与掩膜层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，于开口中形成第二电极。之后，于第二电极上形成导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN104465986A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310424207.7 | 申请日期 | 2013.09.17 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 沈鼎瀛;林孟弘;吴伯伦;李彦德;江明崇 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种电阻式存储器的制作方法，其特征在于，包括：于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；于所述基底上形成介电层，所述介电层覆盖所述第一电极、所述可变电阻层与所述掩膜层；进行蚀刻工艺，于所述介电层与所述掩膜层中形成开口，所述开口暴露出部分所述可变电阻层；于所述开口中形成第二电极；以及于所述第二电极上形成导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 | ||