发明名称 半导体封装及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体封装及其制造方法,本发明的一个实施例的半导体封装包括:金属芯,该金属芯具有空腔且已经构图;元件,该元件内置于所述空腔;绝缘层,该绝缘层以覆盖所述已经构图的金属芯和元件的方式形成;上部电路层,该上部电路层形成在所述绝缘层上;晶种层,该晶种层形成在所述已经构图的金属芯和元件的下表面;以及镀金层,该镀金层形成在所述晶种层上。
申请公布号 CN104465555A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410415507.3 申请日期 2014.08.21
申请人 三星电机株式会社 发明人 柳钟仁;俞度在;金泰贤;梁时重
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L23/40(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人 黄志兴;李翔
主权项 一种半导体封装,包括:金属芯,该金属芯具有空腔且已经构图;元件,该元件内置于所述空腔;绝缘层,该绝缘层以覆盖所述已经构图的金属芯和元件的方式形成;上部电路层,该上部电路层形成在所述绝缘层上;晶种层,该晶种层形成在所述已经构图的金属芯和元件的下表面;以及镀金层,该镀金层形成在所述晶种层上。
地址 韩国京畿道