发明名称 一种Au修饰Zn/ZnO微纳米材料的制备方法
摘要 本发明属于微纳米功能材料技术领域,特别涉及一种电化学沉积与置换法结合制备Au修饰Zn/ZnO微纳米结构功能材料的方法。在基底硅片上平行放置两个电极,在电极之间滴加ZnSO<sub>4</sub>电解液,盖上玻璃片,放置于保温室,利用保温室的TEC使硅片与玻璃片之间形成一个布满两电极之间的冰层,在保温室再放置30分钟,然后在两电极之间加0.8~1.4V的直流电压沉积30分钟,将所得产物用去离子水清洗并晾干后浸泡到氯金酸溶液中30秒,再取出、清洗、晾干,就得到Au修饰Zn/ZnO微纳米结构。本发明操作简单,制备的产品具有较高的表面增强拉曼活性,且能重复使用。
申请公布号 CN104439231A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410649583.0 申请日期 2014.11.15
申请人 吉林大学 发明人 张明喆;肖传海
分类号 B22F1/00(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B22F1/00(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 王恩远
主权项 一种Au修饰Zn/ZnO微纳米材料的制备方法,其步骤为:在基底硅片上平行放置两个厚度为30μm的电极,电极间距为8mm,在电极之间滴加浓度为20~100mM的ZnSO<sub>4</sub>电解液,盖上玻璃片,放置于循环水浴连接的带热电制冷器的保温室,循环水浴的温度设定为‑1.5~‑2.5℃;热电制冷器两端加+3V电压,热电制冷器放置的方向是两端加正电压时朝向基底硅片的面是制冷面;当硅片与玻璃片之间形成一个冰层时,把热电制冷器两端的电压改为‑0.3V,使冰层逐渐融化,通过显微镜观察,当冰层只剩下一个直径为0.1mm的冰核时停止加电压,冰核会逐渐变大直至布满两电极之间后在保温室再放置30分钟,然后在两电极之间加0.8~1.4V的直流电压沉积30分钟后取出所得产物用去离子水清洗并晾干后浸泡到浓度为1×10<sup>‑3</sup>~5×10<sup>‑3</sup>M的氯金酸溶液中30秒,再取出、清洗、晾干,就得到Au修饰Zn/ZnO微纳米结构。
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