发明名称 | 一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法,具体步骤如下:配置氧化石墨烯分散液;选取两块绝缘电极板,平行放置,相背面制备导电电极,导电电极导线连接外部电压;在所述的电极板之间注入氧化石墨烯分散液,静置,使得溶液完好的浸润电极板内壁;随后开启外部电压,控制所述电压在两块绝缘电极板之间产生的场强小于介质的击穿场强而大于能够使氧化石墨烯产生取向的最小场强;进行氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯片的重定向,完成氧化石墨烯片层的取向;在保持外部电压开启的情况下进行溶液挥发,使得氧化石墨烯干燥成膜;取下电极板,获得自支持的垂直取向的氧化石墨烯薄膜。 | ||
申请公布号 | CN104451828A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201410650520.7 | 申请日期 | 2014.11.14 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 万能;董辉 |
分类号 | C25D15/00(2006.01)I | 主分类号 | C25D15/00(2006.01)I |
代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈琛 |
主权项 | 一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法,其特征在于:具体步骤如下:(1)配置氧化石墨烯分散液;(2)选取两块绝缘电极板,平行放置,相背面制备导电电极,导电电极导线连接外部电压;(3)在步骤(2)所述的绝缘电极板之间注入氧化石墨烯分散液,静置,使得溶液完好的浸润电极板内壁;随后开启外部电压,控制所述电压在两块绝缘电极板之间产生的场强小于介质的击穿场强而大于能够使氧化石墨烯产生取向的最小场强;进行氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯片的重定向,完成氧化石墨烯片层的取向;(4)在保持外部电压开启的情况下进行溶液挥发,使得氧化石墨烯干燥成膜;(5)取下电极板,获得自支持的垂直取向的氧化石墨烯薄膜。 | ||
地址 | 214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 |