发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种发光二极管,其包括发光外延叠层,具有相对的上、下表面,自下而上包含第一半导体层、有源层和第二半导体层;防静电针,位于所述发光外延叠层的下表面并向其上表面方向延伸,穿过所述第一半导体层和有源层,与所述第二半导体层接触,其末端为一尖端,侧壁与所述发光外延叠层电性隔离;所述第二半导体层具有局部不导电区域,所述防静电针末端尖端全部位于不导电区域内;当所述发光二极管内电荷积累时,通过所述防静电针导出。本实用新型针对电击穿来改善LED的抗静电能力。 |
申请公布号 |
CN204230285U |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201420781007.7 |
申请日期 |
2014.12.12 |
申请人 |
天津三安光电有限公司 |
发明人 |
王晶;吴俊毅;陶青山 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
发光二极管,包括发光外延叠层,具有相对的上、下表面,自下而上包含第一半导体层、有源层和第二半导体层;其特征在于:还包括防静电针,位于所述发光外延叠层的下表面并向其上表面方向延伸,穿过所述第一半导体层和有源层,与所述第二半导体层接触,其末端为一尖端,侧壁与所述发光外延叠层电性隔离;所述第二半导体层具有局部不导电区域,所述防静电针末端尖端全部位于不导电区域内;当所述发光二极管内电荷积累时,通过所述防静电针导出。 |
地址 |
300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号 |