发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法,该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的。一种将对基体的表面设置的银或氧化银、与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法,经过以下的工序制造半导体装置:在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序;对半导体元件及基体施加200℃~900℃的温度、将半导体元件与基体接合的工序。 |
申请公布号 |
CN102292835B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201080005218.6 |
申请日期 |
2010.01.20 |
申请人 |
日亚化学工业株式会社 |
发明人 |
藏本雅史;小川悟;丹羽实辉 |
分类号 |
H01L33/36(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/36(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,该半导体装置是对基体的表面设置的银与对半导体元件的表面设置的银相接合的半导体装置,其特征在于,具有:在对基体的表面设置的银之上配置对半导体元件的表面设置的银,以使两者接触的工序;对半导体元件及基体施加200℃~900℃的温度、将半导体元件与基体接合的工序;上述基体是引线框或布线基板,上述接合的工序在大气中或在氧环境中进行,上述半导体元件具有无机基板,上述无机基板是蓝宝石或玻璃,对半导体元件的表面设置的银被设置在与形成半导体层的一侧相反的一侧。 |
地址 |
日本德岛县 |