波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法，所述大功率激光器芯片结构包括：在衬底(0)上依次生成的缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)、欧姆接触层(12)、绝缘介质层(13)、P型上电极(14)以及N型下电极(15)。通过所述制作方法获得的结构由于增加了P型InGaP构成的腐蚀停止层，便于控制腐蚀深度，对提高生产效率以及成品率起到很好的作用。

主权项

一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构，其特征在于，包括：一衬底(0)，其为100取向的掺Si的N型GaAs层，其中Si掺杂浓度>1×10¹⁸cm^‑3；一缓冲层(1)，其为掺Si的N型GaAs层并形成于衬底(0)上，其中Si掺杂浓度>2×10¹⁸cm^‑3；一第一渐变限制层(2)，其为掺Si的N型Al_xGa_1‑xAs层并形成于缓冲层(1)上，其中Si掺杂浓度>2×10¹⁸cm^‑3，x=0.1‑0.5；一第一波导层(3)，其为掺Si的N型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第一渐变限制层(2)上，其中Si掺杂浓度为5×10¹⁷cm^‑3；一第二波导层(4)，其为掺Si的N型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第一波导层(3)上，其中Si掺杂浓度为2‑5×10¹⁷cm^‑3；一第一量子阱垒层(5)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7As层并形成于第二波导层(4)上；一量子阱有源层(6)，其为非掺杂In_0.1Al_0.12Ga_0.78As层并形成于第一量子阱垒层(5)上；一第二量子阱垒层(7)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7As层并形成于量子阱有源层(6)上；一第三波导层(8)，其为掺C的P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二量子阱垒层(7)上，其中C掺杂浓度为2‑5×10¹⁷cm^‑3；一腐蚀停止层(9)，其为掺C的P型InGaP层并形成于第三波导层(8)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁷cm^‑3；一第四波导层(10)，其为掺C的P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于腐蚀停止层(9)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁷cm^‑3；一第二渐变限制层(11)，其为掺C的P型Al_xGa_1‑xAs层并形成于第四波导层(10)上，其中C掺杂浓度为2×10¹⁸cm^‑3，x=0.5‑0.1；一欧姆接触层(12)，其为掺C的P型GaAs层并形成于第二渐变限制层(11)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁹cm^‑3；一绝缘介质层(13)，其为SiN层并形成于欧姆接触层(12)上；一P型上电极(14)，其为TiPtAu层并形成于欧姆接触层(12)上；一N型下电极(15)，其为Au‑Ge‑Ni层并形成于衬底(0)的下面。