发明名称 发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法
摘要 一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:提供第一电极及第二电极;提供一模具,其包括下模及上模,该下模开设形成一收容槽,该上模包括一芯件及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽;将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中,然后将芯件覆盖在第一电极及第二电极上,且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙,最后将挡壁围绕芯件设置在下模上;由挡壁与芯件之间的通道向下模收容槽中注入液体成型材料;凝固成型后撤去下模和上模,形成基座,其中凹槽中的成型材料凝固形成挡墙,而挡壁与芯件间的通道中的成型材料凝固形成容置杯。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。
申请公布号 CN102903803B 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201110215557.3 申请日期 2011.07.29
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 柯志勋;蔡明达
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:提供第一电极及第二电极;提供一模具,该模具包括下模及上模,该下模上开设形成一收容槽,该上模包括一芯件以及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽,所述凹槽的截面为一梯形,其上表面的宽度小于下表面的宽度,两个侧表面为一倾斜面;将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中,然后将上模的芯件覆盖在第一电极及第二电极上,且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙,最后将挡壁围绕所述芯件设置在下模上;由挡壁与芯件之间形成的通道向下模的收容槽中注入液体成型材料;及凝固成型后撤去下模和上模,形成基座,其中凹槽中的液体成型材料凝固形成一挡墙,而挡壁与芯件之间的通道中的液体成型材料凝固形成容置杯。
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