发明名称 |
发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法 |
摘要 |
一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:提供第一电极及第二电极;提供一模具,其包括下模及上模,该下模开设形成一收容槽,该上模包括一芯件及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽;将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中,然后将芯件覆盖在第一电极及第二电极上,且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙,最后将挡壁围绕芯件设置在下模上;由挡壁与芯件之间的通道向下模收容槽中注入液体成型材料;凝固成型后撤去下模和上模,形成基座,其中凹槽中的成型材料凝固形成挡墙,而挡壁与芯件间的通道中的成型材料凝固形成容置杯。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。 |
申请公布号 |
CN102903803B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201110215557.3 |
申请日期 |
2011.07.29 |
申请人 |
展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
柯志勋;蔡明达 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:提供第一电极及第二电极;提供一模具,该模具包括下模及上模,该下模上开设形成一收容槽,该上模包括一芯件以及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽,所述凹槽的截面为一梯形,其上表面的宽度小于下表面的宽度,两个侧表面为一倾斜面;将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中,然后将上模的芯件覆盖在第一电极及第二电极上,且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙,最后将挡壁围绕所述芯件设置在下模上;由挡壁与芯件之间形成的通道向下模的收容槽中注入液体成型材料;及凝固成型后撤去下模和上模,形成基座,其中凹槽中的液体成型材料凝固形成一挡墙,而挡壁与芯件之间的通道中的液体成型材料凝固形成容置杯。 |
地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |