半导体构造、存储器单元、存储器阵列及形成存储器单元的方法

摘要

一些实施例包含一种直接在间隔开的节点上方具有氧敏感结构的构造。每一氧敏感结构包含成角度板，所述成角度板具有沿着节点的顶部表面的水平部分及从所述水平部分向上延伸的非水平部分。每一成角度板具有：内部侧壁，其中内侧拐角形成于所述非水平部分与所述水平部分之间；外部侧壁，其与所述内部侧壁呈相对关系；及若干横向边缘。位线是在所述氧敏感结构上方，且具有从所述氧敏感结构的所述横向边缘向上延伸的侧壁。不含氧结构是沿着所述内部侧壁、沿着所述外部侧壁、沿着所述横向边缘、在所述位线上方且沿着所述位线的所述侧壁。一些实施例包含存储器阵列及形成存储器单元的方法。

主权项

一种形成存储器单元的方法，其包括：形成由半导体衬底支撑的一对间隔开的电节点；所述节点是第一节点及第二节点；在所述节点上方形成图案化结构，所述图案化结构横跨所述节点之间的空间且具有与第二侧壁呈相对关系的第一侧壁；所述第一侧壁直接在所述第一节点上方且所述第二侧壁直接在所述第二节点上方；所述图案化结构包括第一不含氧材料；沿着所述图案化结构的外部表面形成氧敏感材料；所述氧敏感材料经配置为从所述第一节点的上部表面延伸到所述第二节点的上部表面的桥接器；所述桥接器具有沿着所述第一侧壁的第一区段、沿着所述第二侧壁的第二区段及跨越所述图案化结构的顶部的第三区段；沿着所述氧敏感材料桥接器的所述第一区段、所述第二区段及所述第三区段形成第二不含氧材料；移除所述氧敏感材料桥接器的所述第三区段的至少一些部分以使所述第一区段与所述第二区段分离；将所述第一区段及第一节点并入到第一存储器单元中；及将所述第二区段及第二节点并入到邻近于所述第一存储器单元的第二存储器单元中。