磁性隧道结及其形成方法

摘要

一种磁性隧道结及其形成方法，其中，磁性隧道结的形成方法包括：提供表面具有第一介质层的衬底，第一介质层内具有第一电极层，第一介质层和第一电极层表面具有复合磁性层；在复合磁性层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层的图形为圆形，第一掩膜层的位置与第一电极层的位置对应；在复合磁性层表面和第一掩膜层的侧壁表面形成第二掩膜层；去除部分第一掩膜层，在第一掩膜层和第二掩膜层内形成暴露出复合磁性层的开口，开口的条形图形贯穿第一掩膜层的圆形图形；在开口的侧壁表面形成侧墙；之后去除第二掩膜层，以侧墙和第一掩膜层为掩膜，刻蚀复合磁性层直至暴露出第一介质层和第一电极层表面为止。所形成的磁性隧道结的存储稳定性提高、可靠性提高。

主权项

一种磁性隧道结的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一介质层暴露出所述第一电极层，所述第一介质层和第一电极层表面具有复合磁性层；在所述复合磁性层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层平行于衬底表面的图形为圆形，且所述第一掩膜层的位置与第一电极层的位置对应；在所述复合磁性层表面和第一掩膜层的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的表面与第一掩膜层的表面齐平；去除部分第一掩膜层，在第一掩膜层和第二掩膜层内形成暴露出复合磁性层的开口，所述开口平行于衬底表面的图形为条形，且所述开口的条形图形贯穿第一掩膜层的圆形图形；在所述开口的第一掩膜层和第二掩膜层侧壁表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除第二掩膜层；在去除第二掩膜层之后，以侧墙和第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述复合磁性层直至暴露出第一介质层和第一电极层表面为止。