一种FinFET制备方法

摘要

本发明公开了一种FinFET制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理，刻蚀所述第二硬掩模层、第一硬掩模层至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；对第二硬掩模层进行减薄处理，以将部分第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与所述第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除所述第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的侧壁予以外露。本发明通过增加硬质掩膜pullback的距离，得到平坦的FinFET STI OX recess结构。

主权项

一种FinFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底顶部自下而上依次沉积有第一硬掩模层和第二硬掩模层；进行图案化处理，刻蚀所述第二硬掩模层、第一硬掩模层至所述半导体衬底中，以在所述半导体衬底中形成若干鳍状结构；对第二硬掩模层进行减薄处理，以将部分第一硬掩模层的上表面予以暴露；沉积氧化层并进行平坦化处理，以使该氧化层的上表面与所述第二硬掩模层的顶部平面齐平；移除所述第二硬掩模层；回蚀所述氧化层，以将各所述鳍状结构的侧壁予以外露。