沟槽多晶硅栅的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽多晶硅栅的制造方法，包括步骤：形成于PSU结构的多晶硅栅；形成第一氧化层；淀积第一层层间膜；进行化学机械研磨直至多晶硅栅顶部表面露出；淀积金属钛并进行合金化在多晶硅栅顶部表面形成钛硅化合物；淀积第二层层间膜。本发明能降低栅电阻，简化外围控制电路，精确定位合金位置，减少产品工艺控制的难度。

主权项

一种沟槽多晶硅栅的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成PSU结构的多晶硅栅，所述多晶硅栅填充于沟槽，所述PSU结构为所述多晶硅栅的顶部高于硅衬底表面的结构；步骤二、形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖在所述多晶硅栅的顶部表面、侧壁表面以及所述多晶硅栅区域外的所述硅衬底表面；步骤三、淀积第一层层间膜；所述第一层层间膜覆盖在所述第一氧化层表面且位于所述多晶硅栅区域外的所述第一层层间膜的顶部表面高于所述多晶硅栅的顶部表面；步骤四、进行化学机械研磨直至所述多晶硅栅顶部表面露出；步骤五、淀积金属钛并进行合金化，合金化时位于所述多晶硅栅区域外的所述金属钛被所述第一层层间膜保护不被合金化、位于所述多晶硅栅顶部表面的金属钛合金化形成钛硅化合物，将没有合金化的金属钛去除；步骤六、淀积第二层层间膜。