发明名称 |
发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法 |
摘要 |
一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;对基板表面进行蚀刻,使每个基板单元表面上形成挡墙;在每个基板单元上形成金属电极层;在每个基板单元上设置反射壁,每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;沿基板的通孔切割形成多个基座。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。 |
申请公布号 |
CN102916089B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201110217779.9 |
申请日期 |
2011.08.01 |
申请人 |
赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司;中山市云创知识产权服务有限公司 |
发明人 |
柯志勋;蔡明达;张超雄 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 |
代理人 |
哈达 |
主权项 |
一种发光二极管封装结构基座的形成方法,其包括以下几个步骤:步骤一,提供一基板,在基板上开设多个通孔,该多个通孔将基板平均分为多个基板单元;步骤二,对基板表面进行蚀刻,使每个基板单元表面上形成挡墙;步骤三,在每个基板单元上形成金属电极层;步骤四,在每个基板单元上设置反射壁,相邻的两个反射壁之间形成空隙,所述空隙与所述通孔正对设置,每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯,挡墙位于容置杯中;及步骤五,沿基板的通孔以及与所述通孔正对的反射壁之间的空隙切割形成多个基座。 |
地址 |
518109 广东省深圳市龙华新区龙观东路83号荣群大厦11楼 |