发明名称 一种石墨烯光阴极及其制备方法
摘要 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法;该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成;该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤:S1:采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯;S2:利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片,留下石墨烯;S3:将石墨烯平铺至光阴极底座;S4:利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜;S5:利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度,从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。
申请公布号 CN104465264A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410610300.1 申请日期 2014.11.03
申请人 华中科技大学 发明人 刘雨昊;魏合林;朱大明;任宽;袁利利
分类号 H01J1/34(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I 主分类号 H01J1/34(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 曹葆青
主权项 一种石墨烯光阴极,其结构由下至上依次为:光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜;其特征在于,所述衬底层材料是石墨烯。
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