一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构

摘要

本发明公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构，属于半导体器件封装领域。该封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点；所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层，焊盘开口上方设有导电金属柱，其材质为铜或铜合金；所述导电金属柱的侧面裹有氧化层，导电金属柱的上方设有反应界面层，反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金；所述反应界面层上方设有焊料凸点，所述焊料凸点的材料为锡或锡合金。本发明利用FeNi合金或FeNiP合金具有的优良可焊性、界面层生长速度慢以及其热膨胀系数可以通过调整合金成分变化的特性，提高了互连体的力学、电学、热学性能及服役可靠性。

主权项

一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构，其特征在于：该柱状凸点封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点，所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于半导体衬底上焊盘开口以外的上表面；所述焊盘开口上方设有金属种子层，金属种子层上设有导电金属柱，所述导电金属柱的材料为铜或铜合金；所述导电金属柱的上方设有反应界面层，反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金；所述反应界面层上方设有焊料凸点，焊料凸点的材料为锡或锡合金。