| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p-型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p-型外延层，形成在n-型外延层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104465339A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310757104.2 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社 | 发明人 | 郑永均;千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p‑型外延层、以及n+区域；在所述n+区域上形成缓冲层；在所述缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用所述光敏薄膜图案作为掩模对所述缓冲层进行蚀刻以形成缓冲层图案，所述缓冲层图案布置在所述光敏薄膜图案下方并露出所述n+区域的一部分；在所述n+区域的露出部分和所述光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层都包括布置在所述n+区域上的第一部分和布置在所述光敏薄膜图案上的第二部分；去除所述缓冲层图案、所述光敏薄膜图案、所述第一金属层的第二部分、以及所述第二金属层的第二部分，以露出所述n+区域的一部分；以及利用所述第一金属层的第一部分和所述第二金属层的第一部分作为掩模对所述n+区域的露出部分进行蚀刻，以形成沟槽，其中所述沟槽穿过所述n+区域和所述p‑型外延层，并且形成在所述n‑型外延层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||