| 发明名称 | 硅通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种硅通孔的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述半导体衬底上形成第一金属铜层，且所述第一金属铜层填充满所述通孔；对所述第一金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面，剩余所述第一金属铜层具有表面缺口；在所述半导体衬底上形成第二金属铜层，且所述第二金属铜层填充满所述第一金属铜层的表面缺口；对所述第二金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面。本发明所提供的硅通孔的形成方法得到表面平坦的硅通孔，所形成的硅通孔的导电能力和可靠性都得到提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104465494A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310449898.6 | 申请日期 | 2013.09.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何作鹏;赵洪波;沈哲敏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成通孔；在所述通孔表面形成绝缘层；在所述半导体衬底上形成第一金属铜层，且所述第一金属铜层填充满所述通孔；对所述第一金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面，剩余所述第一金属铜层具有表面缺口；在所述半导体衬底上形成第二金属铜层，且所述第二金属铜层填充满所述第一金属铜层的表面缺口；对所述第二金属铜层进行平坦化至露出所述半导体衬底表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||