半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区；第2导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区之上；第1导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区之上；多个第2导电型的第4半导体区，它们配置在所述第3半导体区之上；绝缘膜，其分别配置在槽的内壁上，该槽从所述第4半导体区的上表面延伸，贯通所述第4半导体区以及所述第3半导体区，到达所述第2半导体区；控制电极，其在所述槽的侧面中被配置在所述绝缘膜的与所述第3半导体区的侧面相对的区域上；第1主电极，其与所述第1半导体区电连接；第2主电极，其与所述第4半导体区电连接；以及底面电极，其在所述槽的底面上与所述控制电极分离地配置在所述绝缘膜之上，并与所述第2主电极电连接，在俯视时，所述槽的延伸方向的长度为所述槽的宽度以上，且所述槽的宽度大于相邻的所述槽彼此之间的间隔。