光刻后的晶圆处理方法

摘要

本发明公开了一种光刻后的晶圆处理方法，该方法是在光刻工艺完成后，进行湿法刻蚀工艺前，用不与晶圆及光刻胶反应的低功率等离子体对晶圆表面进行处理，消除晶圆表面因光刻致静电放电而积聚的电荷。本发明通过用低功率等离子体处理光刻后的晶圆，消除了光刻致静电放电在晶圆表面积累的电荷，使得后续湿法工艺中不会因为有电荷积聚而发生电化学反应，从而解决了光刻致静电放电损伤问题，提升了成品率及可靠性。

主权项

光刻后的晶圆处理方法，其特征在于，在光刻工艺完成后，进行湿法刻蚀工艺前，用不与晶圆及光刻胶反应的低功率等离子体对晶圆表面进行处理，消除晶圆表面因光刻致静电放电而积聚的电荷。