发明名称 |
一种可提高光电转换效率的多晶硅片预处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种可提高光电转换效率的多晶硅片预处理方法。通过化学预处理工艺,在多晶硅片表面生成1nm-30nm的SiO<sub>2</sub>层,改善制绒工序硅片绒面的均匀性以及表面清洁度,此方法可显著提高太阳能电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN104465863A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410368394.6 |
申请日期 |
2014.07.30 |
申请人 |
上饶光电高科技有限公司 |
发明人 |
杨晓琴;陈园;王鹏;柳杉;殷建安;梅超;张宇 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
杨志宇 |
主权项 |
一种可提高光电转换效率的多晶硅片预处理方法,其特征在于:在10‑50℃温度条件下把多晶硅片置于清洗液中浸泡10‑60min,再用纯水进行清洗2‑5min;其中清洗液为HNO<sub>3</sub>与H<sub>2</sub>O 的混合清洗液,HNO<sub>3</sub>与H<sub>2</sub>O 的体积比为1:1‑6,HNO<sub>3</sub>的质量浓度为69‑71%。 |
地址 |
334100 江西省上饶市上饶经济开发区旭日片区 |