发明名称 一种产生恒定充电时间常数的电路
摘要 本发明涉及一种产生恒定充电时间常数的电路,其中,第一MOS管的源极还与第二MOS管的漏极相连,第二MOS管的源极接地,栅极与第三MOS管的栅极相连;第三MOS管的漏极与第一镜像电流源相连,源极与第四MOS管的漏极相连,第四MOS管的源极接地,栅极与第三MOS管的栅极相连;其中,第三MOS管接成二极管形式,工作在饱和区,第四MOS管工作在线性区;第一镜像电流源还与第二镜像电流源之间设有两个相互串联的第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关;第一比较器的正输入端和第二比较器的负输入端连接在第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关之间,并与MOS电容连接。本发明能够大大降低系统的成本。
申请公布号 CN104460796A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410548526.3 申请日期 2014.10.16
申请人 宁波芯辰微电子有限公司 发明人 刘弘
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人 宋缨;孙健
主权项 一种产生恒定充电时间常数的电路,包括参考电压产生电路、第一镜像电流源、第二镜像电流源、第一比较器(CP1)和第二比较器(CP2),其特征在于,所述参考电压产生电路的输出端与运算放大器(OP)的负输入端相连,所述运算放大器(OP)的输出端与第一MOS管(M1)的栅极相连,所述第一MOS管(M1)的源极连接至所述运算放大器(OP)的正输入端,漏极与第一镜像电流源相连;所述第一MOS管(M1)的源极还与第二MOS管(M2)的漏极相连,所述第二MOS管(M2)的源极接地,栅极与第三MOS管(M3)的栅极相连;所述第三MOS管(M3)的漏极与第一镜像电流源相连,源极与第四MOS管(M4)的漏极相连,所述第四MOS管(M4)的源极接地,栅极与所述第三MOS管(M3)的栅极相连;其中,第三MOS管(M3)接成二极管形式,工作在饱和区,第四MOS管(M4)工作在线性区;所述第一镜像电流源还与第二镜像电流源相连,所述第一镜像电流源还与第二镜像电流源之间设有两个相互串联的第一单刀双掷开关(SP)和第二单刀双掷开关(SN);所述第一比较器(CP1)的正输入端和第二比较器(CP2)的负输入端连接在第一单刀双掷开关(SP)和第二单刀双掷开关(SN)之间,并与MOS电容(C1)连接;所述第一比较器(CP1)的负输入端连接有高位参考电压,所述第二比较器(CP2)的正输入端连接有低位参考电压,所述第一比较器(CP1)的输出端与逻辑电路的开关关闭端相连,所述第二比较器(CP2)的输出端与逻辑电路的开关开启端相连。
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