发明名称 |
一种用于形成铜互连层的铜籽晶层的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于形成铜互连层的铜籽晶层的制备方法,采用包含铜盐和络合剂的碱性电镀液,在沟槽的超薄粘附层上直接电镀形成铜籽晶层,通过调节电镀液的pH值为碱性以降低超薄粘附层在电镀液中的腐蚀,通过在电镀液中添加络合剂以有效抑制对超薄粘附层的置换反应,并通过调节电镀液中的Cu离子浓度和电流密度降低电镀时的边缘效应,以提高铜籽晶层薄膜的均匀性,为后续在传统的酸性电镀液中高速无缝隙电镀铜提供了一层可靠的铜籽晶层,解决了传统PVD技术制备铜籽晶层时无法得到均匀的铜籽晶层、以及在粘附层上采用酸性电镀液电镀铜时造成的粘附层厚度损失和置换铜层疏松的问题,并有效地扩大了沟槽填充工艺的工艺窗口。 |
申请公布号 |
CN104465503A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410723614.2 |
申请日期 |
2014.12.03 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司 |
发明人 |
徐文忠 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种用于形成铜互连层的铜籽晶层的制备方法,其特征在于,包括:提供一衬底,在所述衬底上形成铜互连沟槽;在所述沟槽中沉积一阻挡层及超薄粘附层;采用包含铜盐和络合剂的碱性电镀液,在所述超薄粘附层上电镀形成铜籽晶层。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |