发明名称 |
空气隙的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种空气隙的形成方法,首先采用了非晶碳硬掩膜技术,可以满足关键尺寸持续缩小的光刻、刻蚀技术要求,接着通过在图形化后的非晶碳层侧壁沉积非晶碳保护层,将非晶碳保护层转移到后续填充金属的侧壁上,从而防止金属互连线的侧壁被腐蚀和氧化,有利于控制金属互连线的尺寸,提高金属互连线的可靠性,并尽可能控制金属互连线的底部过刻蚀问题,提高Cu-first集成方案的可行性和产品良率,增加产品应用的可能性。 |
申请公布号 |
CN104465508A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410857135.X |
申请日期 |
2014.12.30 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
林宏 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种空气隙的形成方法,其特征在于,其包括以下步骤:步骤S01,提供一硅片衬底,并在硅片衬底上依次沉积阻挡层、籽晶层和非晶碳层;步骤S02,图形化所述非晶碳层,以在所述非晶碳层中形成至少一个用于填充金属的沟槽;步骤S03,在所述非晶碳层沟槽的侧壁形成非晶碳保护层;步骤S04,向所述沟槽内填充金属,形成金属图形;步骤S05,去除所述非晶碳层以及非晶碳层下方的籽晶层和阻挡层,使所述金属图形中形成空隙,并将所述非晶碳保护层转移至金属图形侧壁,并形成侧壁保护;步骤S06,在所述金属图形上沉积介质层,在所述空隙处形成空气隙。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |