半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的性能得到了改善。半导体器件具有在像素区域中形成的光电二极管和转移晶体管。此外，半导体器件具有在外围电路区域中形成的第二晶体管。转移晶体管包括第一栅电极以及由在第一栅电极上方形成的厚的硬掩模膜形成的膜部件。第二晶体管包括第二栅电极、源极/漏极区域、在第二栅电极的上表面以及源极/漏极区域的上表面处形成的硅化物层。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的第一主表面一侧的第一区域中形成的第一导电类型的第一半导体区域；在所述半导体衬底的所述第一主表面一侧的第二区域中形成的第二半导体区域；在所述第一半导体区域内形成的光电二极管；在所述第一半导体区域中形成的并且转移由所述光电二极管生成的电荷的转移晶体管；在所述第二半导体区域中形成的第一晶体管；以及以覆盖所述转移晶体管和所述第一晶体管的方式形成的层间绝缘膜，其中，所述转移晶体管包括：通过第一栅极绝缘膜形成在所述第一半导体区域上方的第一栅电极；以及由在所述第一栅电极上方形成的第一绝缘膜形成的第一膜部件，其中，所述光电二极管包括：所述第一半导体区域；以及在所述第一半导体区域的布置在所述第一栅电极的第一侧的第一部分内与所述第一栅电极对准地形成的与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第三半导体区域，其中，所述第一晶体管包括：通过第二栅极绝缘膜在所述第二半导体区域上方形成的第二栅电极；以及在所述第二半导体区域中形成的作为源极区域或漏极区域的第四半导体区域，其中，第一金属硅化物层形成在所述第二栅电极的上表面处，且其中，第二金属硅化物层形成在所述第四半导体区域的上表面处。