发明名称 |
一种阵列基板及其制造方法和显示器件 |
摘要 |
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示器件,涉及显示技术领域。该阵列基板制造方法为:通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极和栅线的图形;通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、像素电极和沟道区域的图形;通过第三次构图工艺形成公共电极的图形。减少了构图工艺处理次数,从而简化了制造流程,降低了制造成本。本发明实施例用于ADS型阵列基板制造。 |
申请公布号 |
CN102629584B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201110362261.4 |
申请日期 |
2011.11.15 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
刘宸;赵吉生;李琳;陆金波;王雪岚 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为ADS型阵列基板,包括:在所述基板上从下至上依次设置的栅线和栅电极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和像素电极,其中栅线和栅电极同层设置;形成在所述像素电极所在层之上的数据线、源电极和漏电极,所述源电极和漏电极被沟道区域隔开,所述掺杂半导体层在沟道区域断开;其中,所述源电极下方不保留像素电极材料;形成在所述源电极、漏电极以及像素电极之上的钝化层;形成在所述钝化层上的公共电极。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |