| 发明名称 | T形源-漏复合场板功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种T形源-漏复合场板功率器件，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、栅槽(7)、栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层(9)内刻有源槽(10)和漏槽(11)，钝化层(9)与保护层(14)之间淀积有T形源场板(12)和T形漏场板(13)；T形源场板(12)与源极(4)电气连接，且下端完全填充在源槽(10)内；T形漏场板(13)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(11)内。本发明具有制作工艺简单、正向特性与反向特性好以及成品率高的优点，可作为开关器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104465747A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410658902.4 | 申请日期 | 2014.11.18 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 毛维;佘伟波;张延涛;杨;张进成;马佩军;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种T形源‑漏复合场板功率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(9)和保护层(14)，势垒层的上面淀积有源极(4)与肖特基漏极(5)，势垒层的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层厚度，势垒层内刻有栅槽(7)，栅槽(7)内淀积有栅极(8)，其特征在于：钝化层(9)内刻有源槽(10)和漏槽(11)；钝化层(9)与保护层(14)之间淀积有T形源场板(12)和T形漏场板(13)；所述T形源场板(12)与源极(4)电气连接，且下端完全填充在源槽(10)内；所述T形漏场板(13)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(11)内。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||