一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构及三维互联方法

摘要

本发明涉及一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件三维互联技术，包括两个或两个以上的二极管，单个二极管包括从下至上排列的Si衬底层（1）、GaN外延层（2）、电极层，其中所述电极层的阴极（3）和阳极（4）相对、且间隔开地设置在GaN外延层（2）上，其特征在于：两个或者两个以上的二极管键合成上下叠装的层状结构、且上下相邻的两层二极管的接触面均由绝缘层（6）隔开，各层二极管的阴极和阳极分别排成一竖列；除位于最底层的二极管外，其上层的所有二极管和绝缘层由两竖向通孔贯穿，所述两竖向通孔分别位于对应各二极管的阴极（3）和阳极（4）的位置；所述两竖向通孔孔壁分别沉积有一绝缘层（6）；所述两竖向通孔（2、3）内沉积有联通各层二极管的对应电极的金属（7）。本发明可实现二极管之间的叠装。

主权项

一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构，包括两个或两个以上的二极管，单个二极管包括从下至上排列的Si衬底层（1）、GaN外延层（2）、电极层，其中所述电极层的阴极（3）和阳极（4）相对、且间隔开地设置在GaN外延层（2）上，其特征在于：两个或者两个以上的二极管键合成上下叠装的层状结构、且上下相邻的两层二极管的接触面均由绝缘层（6）隔开，各层二极管的阴极和阳极分别排成一竖列；除位于最底层的二极管外，其上层的所有二极管和绝缘层由两竖向通孔贯穿，所述两竖向通孔分别位于对应各二极管的阴极（3）和阳极（4）的位置；所述两竖向通孔孔壁分别沉积有一绝缘层（6）；所述两竖向通孔（2、3）内沉积有联通各层二极管的对应电极的金属（7）。