静电保护用可控硅结构

摘要

本发明提供了一种静电保护用可控硅结构，包括：位于半导体衬底上的第一N型阱和第一P型阱，在其中分别形成掺杂浓度提高的第二N型阱和第二P型阱，以及更高浓度的第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。所述静电保护用可控硅结构通过不同浓度的阱区与掺杂区，在可控硅结构的NPN管与PNP管中形成三种浓度和位置不同的区域，使得可控硅结构在泄放静电电流时，增大泄放电流的路径，电流分布更加均匀，从而降低NPN管与PNP管的放大倍率，增大维持电压，有效的防止闩锁效应。另外，还可以通过调整第二N型阱和第二P型阱、第一N+掺杂区和第一P+掺杂区相互之间的距离来调整触发电压和维持电压。

主权项

一种静电保护用可控硅结构，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的第一N型阱和第一P型阱；第二N型阱，位于所述第一N型阱中，靠近所述第一P型阱，其掺杂浓度高于所述第一N型阱；第二P型阱，位于所述第一P型阱中，靠近所述第一N型阱，其掺杂浓度高于所述第一P型阱；第一N+掺杂区，位于所述第二N型阱中，其掺杂浓度高于所述第二N型阱；第一P+掺杂区，位于所述第二P型阱中，其掺杂浓度高于所述第二P型阱；第二P+掺杂区与第三N+掺杂区，均位于所述第一N型阱中、所述第二N型阱之外，所述第二P+掺杂区靠近所述第一N+掺杂区；第二N+掺杂区与第三P+掺杂区，位于所述第一P型阱中、所述第二P型阱之外，所述第二N+掺杂区靠近所述第一P+掺杂区；所有掺杂区之间都通过浅沟道隔离结构进行隔离。