发明名称 |
一种非接触式硅片减薄厚度测量装置 |
摘要 |
一种非接触式硅片减薄厚度测量装置,涉及厚度测量装置。设有座架、基板、成对推挽式电容器阵列、载样台、交流恒压源、信号处理电路和控制模块;基板固定在座架上端且位于载样台上方,成对推挽式电容器阵列设于基板上,载样台设于座架支承面上,交流恒压源设于座架外部,交流恒压源与基板3中的成对推挽式电容传感器及载样台串联形成闭合回路,信号处理电路与所述闭合回路并联,信号处理电路中设有用于传感信号放大的放大器电路、用于去除共模干扰的同步侦测器及减法运算器,控制模块的输入端接信号处理电路输出端,控制模块用于将信号处理电路输出的信号整合为待测硅片或载样台的位置数据信息,并拟合二次曲面。 |
申请公布号 |
CN104457548A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201510006642.7 |
申请日期 |
2015.01.07 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
王凌云;赵增智;郑志轩;王丽英 |
分类号 |
G01B7/06(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/06(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
刘勇 |
主权项 |
一种非接触式硅片减薄厚度测量装置,其特征在于,设有座架、基板、成对推挽式电容器阵列、载样台、交流恒压源、信号处理电路和控制模块;基板固定在座架上端且位于载样台上方,成对推挽式电容器阵列设于基板上,载样台设于座架1支承面上,交流恒压源设于座架外部,交流恒压源与基板中的成对推挽式电容传感器及载样台串联形成闭合回路,信号处理电路与所述闭合回路并联,信号处理电路中设有用于传感信号放大的放大器电路、用于去除共模干扰的同步侦测器及减法运算器,控制模块的输入端接信号处理电路输出端,控制模块用于将信号处理电路输出的信号整合为待测硅片或载样台的位置数据信息,并拟合二次曲面。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |